外延工艺方法-Silicon Based Epitaxial Thin Films
外延被定义为“一种晶体物质在另一种晶体物质上的规则取向生长”。同质外延（在与衬底相同材料上生长外延层）和异质外延（在与衬底不同的材料上生长外延层）这两种工艺都用于半导体器件制造。根据界面条件和晶格参数，异质外延膜可以形成应变或弛豫的晶格结构。
气相外延
住友化学开发出可适用于大规模量产 GaN-on-GaN 器件的 QF-HVPE 系统
住友化学（Sumitomo Chemical）开发出一种可大规模生产的无石英氢化物气相外延（QF-HVPE）系统，能够制造出据称在室温和低温下均创下迁移率纪录的氮化镓（GaN）材料。该材料已在 4 英寸独立式氮化镓衬底和 6 英寸蓝宝石模板上的氮化镓上进行了展